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浅析半桥逆变线路中的三极管应用

发布日期:2017-05-13 浏览次数:154

三极管选型和客户实际使用要求是分不开的。在线路应用中考虑的因素比较多,比如客户产品定位和设计余量、成本、线路结构、灯管磁环特性及外围参数的调试等都有着极大的关系。所以在具体应用中要经过反复调试,综合验证后方可定型。
在实际应用中应要注意以下几点:
1.关于耐压
对于目前普遍使用的半桥逆变线路,桥式整流后电解电容正负极间的电压为:220V*1.414=311V。即使当市电电压波动到280V时,直流电压为396V。所以很多研发工程师认为Vceo大于400V的管子已足够了。但其实并非这样,拿我们最常用的DB3触发线路来讲。上下开关管的基极和发射极用基极电阻,发射极电阻和磁环变压的次级绕组相连。发射极电阻阻值不会很大,一般在0.5-3欧姆之间,否则会深度负反馈造成低压时不能启动。基极电阻阻值一般在30欧姆以内。磁环变压器次级绕组的直流电阻非常小,近似可以忽略不计。在这种情况下真正起作用的是Vcer。其值接近于Vcbo。所以只要施加在开关管CE间的电压不超过它,从耐压方面来说三极管就是安全的。
2.关于三极管的失效原因———过功率击穿
即施加在三极管上的实际功率超过其安全工作区而损坏。我们知道在这种线路上三极管的损耗来自三个方面:第一是三极管导通是的损耗。导通时的损耗和三极管的饱和压降有关系。但因三极管的饱和压降比较小,所以这部分损耗可以忽略。第二是管子截止是的损耗。这个损耗和三极管的漏电流有关系。但三极管的漏电流是微安级别的,所以这部分损耗也可以省略。第三是管子的过渡损耗。指管子在截至区和饱和导通区之间相互转换时而产生的损耗。这部分损耗是管子发热的主要原因。它与三极管本身的开关参数以及线路调试有关。所以我们要尽量选用上升时间和下降时间较小的管子。更重要的是线路参数要精心调试。最直观的验证方法是用示波器观察Ic电流波形及Ic电流和Vce电压交叉面积的大小。
3.关键元器件参数对三极管的影响
在实际调试中我们或许测试单个节能灯或镇流器的参数发现很好。但在批量生产时可能会出现一致性差及合格率偏低的现象。特别在做大功率产品中比较明显。这其实跟三极管本身的关系比较小,主要与线路结构的特性(逐流线路,双泵线路,复合泵线路等),灯管磁环的差异及设计余量密切相关。所以在这种情况下我们要尤其注意这些关键元器件的一致性和宽松的余量设计。